Mode d'amélioration du canal P 35A 100V, puissance MOSFET DH100P35 To-220C

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 35 A 100 V

1 Descriptif

Ces VDMOSFET améliorés à canal P, utilisant une technologie et une conception de tranchée avancées, offrent un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible résistance ON 

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test ΔVDS 100 % 

3 candidatures 

● utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et un rendement plus élevé. 

● Équipements portables et systèmes alimentés par batterie 

● Application Alerteur

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
-100V	37 mΩ	-35A