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Mode d'amélioration du canal P 35A 100V Power MOSFET DH100P35 à 220C

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
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Mode d'amélioration des canaux P 35A 100V MOSFET


1 Description

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée. 

● Équipements portables et systèmes à batterie 

● Application alerte


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT 
-100v 37mΩ -35a



télécharger Appareil DH100P35 Spécification.pdf

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