未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček v a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4a 英文版 D4n70 技术规格书 .pdf
200A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30v 200a Zařízení DH020N03 (B39) Specifikace.pdf
130a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18a Zařízení 640 Specifikace.pdf
105a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130a Zařízení DH025N04 Specifikace.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68v 60a Zařízení DH50N06FZC Specifikace.pdf
7a 700V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7a 英文版 F7N70 技术规格书 .pdf
61a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61a Zařízení DH16N06 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100v 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
19a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19a Zařízení DH300N08 Specifikace.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120a DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
130a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130a Zařízení DH025N04 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30v 100a Zařízení DH100N03 B13 Specifikace.pdf
110a 85V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85v 110a Zařízení DHS055N85 Specifikace.pdf
100V/2MΩ/281A N-MOSFET MOLL DSU023N10N3 Mýtné 100v 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18a 英文版 F18N50 技术规格书 .pdf
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98v 120a Zařízení DHS046N10 Specifikace.pdf
-50A -40V režim pro zlepšení P-kanálu Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Dh160p04d_datasheet_v1.0.pdf
120a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120a DSG053N08N3 & DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
-30A -100 V P-kanálový režim Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30a Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf

Video produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com