未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
F4N80/B4N80
90A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Laite DH90N03 B17 Specification.pdf
160A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Laite 110N04 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA -220C 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
F7N80
N-kanavainen laajennustila Virta MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Laite 80N06 Specification.pdf
F12N70
110A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
65A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Laitteen DH033N03R Specification.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
35A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P35 - 220C DH100P35 -220C 100V 35A Laite DH100P35 Specification.pdf
20A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 -220C 650V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
16 A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
10N80/F10N80/E10N80
20N90D/20N90B
8A 500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60
81A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
DHU3N90/DHD3N90

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com