Dostępność: | |
---|---|
Ilość: | |
9A 900 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne z ROHS
standard.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Ulepszona zdolność ESD
● Niska rezystancja (RDSON ≤1,3Ω)
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
900 V. | 0,92Ω | 9a |
9A 900 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne z ROHS
standard.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Ulepszona zdolność ESD
● Niska rezystancja (RDSON ≤1,3Ω)
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
900 V. | 0,92Ω | 9a |