بوابة
شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة

تحميل

مشاركة إلى:
زر مشارك�كثر كفاءة وموثوقية وفعالية من حيث التكلفة لمختلف التطبيقات. أحد هذه الابتكارات في هذا المجال هو ترانزستور البوابة المعزولة ثنائي القطب (IGBT).
زر المشاركة على تويتر
زر مشاركة الخط
زر مشاركة وي شات
زر المشاركة ينكدين
زر مشاركة بينتريست
زر مشاركة الواتس اب
شارك زر المشاركة هذا

9N90/F9N90/E9N90

9A 900V N-channel وضع تحسين الطاقة MOSFET
التوفر:
الكمية:

9A 900V N-channel وضع تحسين الطاقة MOSFET

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. الذي يتوافق مع RoHS

معيار. 

2 الميزات

● التبديل السريع

● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة

● مقاومة منخفضة (Rdson≥1.3Ω)

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100%

● اختبار ΔVDS بنسبة 100%

3 تطبيقات

 يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.

 دائرة تبديل الطاقة من الصابورة الإلكترونية والمحول.


VDSS RDS (تشغيل) (TYP) بطاقة تعريف
900 فولت 0.92 أوم 9 أ


سابق: 
التالي: 
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد للمستقبل،
    اشترك في النشرة الإخبارية لدينا للحصول على التحديثات مباشرة في صندوق البريد الوارد الخاص بك