9N90/F9N90/E9N90

9A 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با ROHS مطابقت دارد

استاندارد 

2 ویژگی

● سوئیچینگ سریع

● ESD قابلیت بهبود یافته

● کم مقاومت (Rdson≤1.3Ω)

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک

● 100 ٪ تست ΔVDS

3 برنامه

 در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.