9A 900V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer omskiftningsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS
standard.
2 funktioner
● Hurtigt skifte
● ESD forbedret kapacitet
● Lav modstand (Rdson≤1,3Ω)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
Bruges i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 900V |
0,92Ω |
9A |