未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
80A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N85P.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
174A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85 V 174A Specyfikacja urządzenia DHS030N88.pdf
96A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40 V 96A DH033N04P+_Arkusz danych_V1.0.pdf
8N65 TO-220C 8N65
20A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A 30H10_Arkusz danych_V1.0.pdf
8A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
45A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100 V 45A DHS160N100D_Arkusz danych_V2.0.pdf
180A 135V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DSG052N14N TO-220C 135 V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20A Specyfikacja urządzenia DH100P20.pdf
4,5 A, 650 V, tryb wzmocnienia kanału N, MOSFET mocy F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C 技术规格书REV1.1.pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100 V 60A DSD150N10L3 i DSB150N10L3_Arkusz danych_V1.0.pdf
10,6 A 700 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJF420N70T Rev.1.0.pdf
60A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Specyfikacja urządzenia DH065N04P.pdf
140A 85V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04.pdf
10,6 A 700 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJD420N70T Rev.1.0.pdf
200A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Specyfikacja urządzenia DH020N03(B39).pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DHS065N85.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com