未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30a Specifikace DH100P28.pdf
8A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8a 英文版 8N60 技术规格书 .pdf
20A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N65D TO-3P 20n65d To-3pn 650V 20a 英文版 20n65d 技术规格书 Rev1.0.pdf
100A 40V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100a Dhs008n04p_datasheet_v1.0.pdf
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8a 英文版 8N50 技术规格书 .pdf
16A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
70a 82V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82v 70a Zařízení DH8290 Specifikace.pdf
5A 800V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5a 英文版 F5N80 技术规格书 .pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20a 英文版 F20N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D5N50 TO-252B D5n50 TO-252B 500V 5a Zařízení D5N50 & B5N50 Specifikace.pdf
120a 85V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85v 125a Zařízení+DSG048N08N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
0,8a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8a
35A 100V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100P35 TO-220C DH100P35 TO-220C 100v 35a Zařízení DH100P35 Specifikace.pdf
90a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30v 90a Zařízení DH90N03 B17 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80a Zařízení 80N06 Specifikace.pdf
110a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
100V 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30v 100a Specifikace zařízení DH033N03 (1) .pdf
20A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N65 TO-220C 20n65 TO-220C 650V 20a 英文版 20N65 技术规格书 AA9.PDF
160a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160a Zařízení 110N04 Specifikace.pdf

Video produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com