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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Mosfet

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50a 120V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DH150N12D à-252B DH150N12D À 252b 120 V 50A Dispositif DH150N12 Spécification.pdf
68V Mode d'amélioration N-canal Power MOSFET DH105N07P DFN5 * 6-8 Dh105n07p Dfn5 * 6-8 70V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
Mode d'amélioration du canal N 400V 10A MOSFET MOSFET F740 à-220F F740 À 220f 400 V 10A Dispositif 740 Spécification.pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 180A 40V DHS020N04D à-252B DHS020N04D À 252b 40V 180a Appareil DHS020N04D Spécification.pdf
105a 68V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS055N07E à-263 DHS055N07E À 263 68v 105a Donghai + dhs055n07 & dhs055n07e + fiche technique + v2.0 .pdf
105a 68V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS055N07D à-252B DHS055N07D À 252b 68v 95a Donghai + dhs055n07b & dhs055n07d + fiche technique + v2.0 .pdf
-30A -60V Mode d'amélioration du canal P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300p06d À 252b -60v -30A Dispositif DH300p06 Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 320A 30V Power MOSFET DH012N03D à-252B DH012N03D À 252b 30V 320A Dispositif DH012N03 Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 320A 30V Power MOSFET DH012N03 à-220C DH012N03 À 220c 30V 320A Dispositif DH012N03 Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 500V 500V MODE MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 À 251 500 V 8a
Mode d'amélioration du canal N 60a 68V Power MOSFET DHF50N06 à-220F DHF50N06 À 220f 68v 60A Dispositif 50n06b34 Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 68V 68V Power MOSFET DHD50N06 à-252B DHD50N06 À 252b 68v 60A Dispositif 50n06b34 Spécification.pdf
Mode d'amélioration N 88V 68V MODE MOSFET MOSFET DH072N07E à-263 DH072N07E À 263 68v 80A Dispositif DH072N07 Spécification.pdf
Mode d'amélioration N 88v 68V Power MOSFET DH072N07D à-252B DH072N07D À 252b 68v 80A Dispositif DH072N07 Spécification.pdf
12A 100V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH850N10D à-252B DH850N10D À 252b 100V 12A Dispositif DH850N10D Spécification (1) .pdf
120A 98V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS046N10D à-252B DHS046N10D À 252b 98v 120a Dispositif dhs046n10 spécification.pdf
100a 60V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 À 220c 60V 100A Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 À 220c 60V 145a Dispositif DH045N06 Spécification.pdf
18A 100V Mode d'amélioration des canaux P MOSFET MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B À 251b 100V 18a Dispositif DH100P18 B79 Spécification.pdf
18A 650V TRANSISTOR BIPOLOLLE ISOLÉ DHG20T65D À 220f 650V 18a Spécification DHG20T65D de l'appareil (à 220f) .pdf

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