MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 110 A 60 V
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Commutation rapide
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Système de gestion de l'onduleur
● Outils électriques
● Electronique automobile
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 60V |
5,7 mΩ |
110A |