110A 60V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH066N06E TO-263

110A 60V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 

2 Özellik 

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Hızlı anahtarlama 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç değiştirme uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrik aletleri 

● Otomotiv elektroniği