未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkt » Mosfet



Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

Mosfet

Bildmodellpaket v Datablad korgen a till beskriver förfrågan Lägg i
50A 120V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Enhet DH150N12 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
10A 400V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Enhet 740 Specifikation.pdf
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D -specifikation.pdf
105A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E Till-263 68V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datablad+v2.0 .pdf
105A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datablad+v2.0 .pdf
-30A -60V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30a Enhet Dh300p06 specifikation.pdf
320A 30V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320a Enhet DH012N03 -specifikation.pdf
320A 30V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320a Enhet DH012N03 -specifikation.pdf
8A 500V N-kanal Förbättringsläge Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8a
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
80A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E Till-263 68V 80a Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
80A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80a Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
12A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12a Enhet DH850N10D -specifikation (1) .pdf
120A 98V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Enhet DHS046N10 -specifikation.pdf
100A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100a DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145a Enhet DH045N06 Specifikation.pdf
18A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18a Enhet Dh100p18 B79 specifikation.pdf
18A 650V isolerad grindbipolär transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Enhet DHG20T65D-specifikation (TO-220F) .PDF

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com