N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 5A 650V

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner

● Snabb växling

● ESD förbättrad kapacitet

● Lågt motstånd (Rdson≤2,8Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 14,5nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 3,5pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
650V	2,3Ω	5A