未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » Mosfet » 400V-1500V N MOS » N n-kanal način poboljšanja Power Mosfet 5A 650V 5N65C TO-220C

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

Način poboljšanja n-kanala Power Mosfet 5A 650V 5N65C TO-220C

Način poboljšanja n-kanala Power Mosfet 5A 650V
Dostupnost:
Količina:
Raspitati se Dodaj u koš

N n-kanal Način poboljšanja Power Mosfet 5A 650V


1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. 

2 značajke

● Brzo prebacivanje

● ESD poboljšala sposobnost

● Nizak otpor (Rdson≤2.8Ω) 

● Naboj s malim vratima (TIP: 14.5NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 3,5PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 prijave

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera


VDSS  RDS (ON) （Tip) Osobna iskaznica 
650V 2.3Ω 5a



Prethodno: 
Sljedeći: 
N n-kanal Način poboljšanja Power Mosfet 5A 650V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com