N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 5A 650V

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● ESD verbesserte die Fähigkeit

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 2,8 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 14,5 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 3.5PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Elektronenballast und Adapter