מצב שיפור N-channel Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

מצב שיפור N-channel Power MOSFET 5A 650V

1 תיאור

ה-vdmosfets המשופרים הללו עם ערוץ N, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. מה שמתאים לתקן RoHS. 

2 תכונות

● מעבר מהיר

● יכולת משופרת של ESD

● התנגדות נמוכה (Rdson≤2.8Ω) 

● טעינת שער נמוכה (סוג: 14.5nC) 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים (סוג: 3.5pF) 

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

3 יישומים

● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר. 

● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם

VDSS	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
650V	2.3Ω	5א