ຮູບແບບການປັບປຸງ N-channel verson troachy mosfet 5A 650v 5n65C ເຖິງ -220C

ຮູບແບບການປັບປຸງ N-channel vanomce ພະລັງງານ Mosfet 5A 650V

1

ນີ້ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ VDMOsfets ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເຮັດວຽກ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການເຮັດວຽກແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs. 

2 ລັກສະນະ

●ສະຫຼັບໄວ

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

●ຕ່ໍາສຸດຕໍ່ຕ້ານ (rdson≤2.8ω) 

at ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 14.5NC) 

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຕໍ່າ (ປະເພດ: 3.5pF) 

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE 

● 100% ການທົດສອບδvds 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ. 

●ວົງຈອນສະຫຼັບໄຟຟ້າຂອງ Electron Ballast ແລະ Adapter