N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5A 650V

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤2.8Ω) 

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 14.5nC) 

● ຄວາມອາດສາມາດການຖ່າຍໂອນປີ້ນໄດ້ຕໍ່າ (ປະເພດ: 3.5pF) 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ. 

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ

VDSS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID
650V	2.3Ω	5A