N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 5A 650V

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤2,8Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 14,5 nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 3,5 pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
650V	2,3Ω	5A