የኤን-ቻናል ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

የኤን-ቻናል ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET 5A 650V

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር

● ESD ችሎታን አሻሽሏል።

● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤2.8Ω) 

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 14.5nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 3.5pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና 

3 መተግበሪያዎች

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል። 

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
650 ቪ	2.3Ω	5A