Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
5n65c
WXDH
220c TO
650V
5a
N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 5A 650V
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (rdson≤2.8Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 14.5nc)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 3.5pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
650V | 2.3Ω | 5a |
N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 5A 650V
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (rdson≤2.8Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 14.5nc)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 3.5pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
650V | 2.3Ω | 5a |