N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C

N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 5A 650V

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken

● Snel schakelen

● ESD verbeterde mogelijkheden

● Lage weerstand (Rdson≤2.8Ω) 

● Lage poortlading (typ: 14,5 nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typ: 3,5 pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
650V	2,3Ω	5A