Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 5A 650V 5N65C TO-220C

Modul de îmbunătățire canal N Putere MOSFET 5A 650V

1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 Caracteristici

● Comutare rapidă

● Capacitate îmbunătățită ESD

● Rezistență scăzută (Rdson≤2,8Ω) 

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 14,5 nC) 

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 3,5pF) 

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%. 

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului

VDSS	RDS(activat)（TYP)	ID
650V	2,3Ω	5A