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Mosfet

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
50A 120V Modo de mejora del canal MOSFET DH150N12D a 252B Dh150n12d A 252b 120V 50A Dispositivo DH150N12 Especificación.PDF
60A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56a Dh105n07p_dataSheet_v1.0 (1) .pdf
10A 400V Modo de mejora del canal MOSFET F740 TO-220F F740 A 220F 400V 10A Dispositivo 740 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D A 252b 40V 180A Dispositivo DHS020N04D Especificación.PDF
105A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E A 263 68V 105a Donghai+DHS055N07 y DHS055N07E+Hoja de datos+V2.0 .pdf
105A 68V Modo de mejora del canal MOSFET DHS055N07D TO-25BB DHS055N07D A 252b 68V 95a Donghai+DHS055N07B y DHS055N07D+Hoja de datos+V2.0 .pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal POWER MOSFET DH300P06D TO-252B Dh300p06d A 252b -60V -30A Dispositivo DH300P06 Especificación.PDF
320A 30V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DH012N03D TO 252B DH012N03D A 252b 30V 320A Dispositivo DH012N03 Especificación.PDF
320A 30V Modo de mejora del canal MOSFET DH012N03 a 220C DH012N03 A 220c 30V 320A Dispositivo DH012N03 Especificación.PDF
8A 500V Modo de mejora del canal MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 A 251 500V 8A
60A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 A 220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.PDF
60A 68V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DHD50N06 a 252B DHD50N06 A 252b 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.PDF
80A 68V N-canal Modo de mejora MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E A 263 68V 80A Dispositivo DH072N07 Especificación.PDF
80A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D A 252b 68V 80A Dispositivo DH072N07 Especificación.PDF
12a 100V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH850N10D TO 252B DH850N10D A 252b 100V 12A Dispositivo DH850N10D Especificación (1) .pdf
120A 98V Modo de mejora del canal MOSFET DHS046N10D TO-252B Dhs046n10d A 252b 98V 120a Dispositivo DHS046N10 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N 100a 60V MOSFET DH066N06 a 220C DH066N06 A 220c 60V 100A Dh066n06d_dataSheet_v2.0.pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 145A 60V DH045N06D a 252B DH045N06 A 220c 60V 145a Dispositivo DH045N06 Especificación.PDF
18a 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET DH100P18B a 251B Dh100p18b A 251b 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.PDF
18A 650V Puerta aislada Transistor bipolar DHG20T65D TO-220F DHG20T65D A 220F 650V 18A Dispositivo DHG20T65D Especificación (TO-220F) .pdf

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