未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET



Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

MOSFET

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifiche del dispositivo DH100P30AD.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Scheda tecnica V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza DHS015N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DSE026N10NA TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza F10N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 800 V F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
-140A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 110 A 60 V DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Dispositivo+DH066N06+Specifica+Rev.2.0.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V 5N50 5N50
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 1500 V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650 V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza D7N70 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza B5N65 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 650 V B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
MOSFET di potenza F10N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET di potenza F14N65 TO-220F in modalità poten F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf

Video del prodotto



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com