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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET

di immagine modello Pacchetto V Una della scheda tecnica di dettaglio richiesta Aggiungi a Basket
50A 120 V Modalità di miglioramento N-Canale di potenza MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D To-252B 120 V. 50a Dispositivo DH150N12 Specification.pdf
60A 68 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V. 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
10A 400 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET F740 TO-220F F740 To-220f 400v 10a Dispositivo 740 Specifica.pdf
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 180A 40V DHS020N0N04D TO-252B DHS020N04D To-252B 40v 180a Dispositivo DHS020N04D Specification.pdf
105A 68 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E To-263 68v 105a DONGHAI+DHS055N07 e DHS055N07E+Foglio dati+V2.0 .pdf
105A 68 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D To-252B 68v 95a DONGHAI+DHS055N07B & DHS055N07D+Foglio dati+V2.0 .pdf
-30a -60v Modalità di miglioramento P-channel POTENZA MOSFET DH300P06D TO-252B Dh300p06d To-252B -60v -30a Dispositivo DH300P06 Specification.pdf
320A 30V MODALITÀ DI MIGLIORE N-CANNEL MODO POTENZA MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D To-252B 30V 320a Dispositivo DH012N03 Specification.pdf
320A 30V Modalità di miglioramento N-channel MODO POTENZA MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 To-220c 30V 320a Dispositivo DH012N03 Specification.pdf
8A 500 V Modalità di miglioramento N-Canale MODO POTENZA MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 To-251 500v 8a
60A 68 V Modalità di miglioramento N-channel Power Mosfet DHF50N06 TO-220F DHF50N06 To-220f 68v 60a Dispositivo 50N06B34 Specifica.pdf
60A 68 V Modalità di miglioramento N-channel Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 To-252B 68v 60a Dispositivo 50N06B34 Specifica.pdf
80A 68 V Modalità di miglioramento N-channel Power Mosfet DH072N07E TO-263 DH072N07E To-263 68v 80a Dispositivo DH072N07 Specifica.pdf
80A 68 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D To-252B 68v 80a Dispositivo DH072N07 Specifica.pdf
12A 100V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet DH850N10D TO-252B DH850N10D To-252B 100V 12a Dispositivo DH850N10D Specifica (1) .pdf
120A 98 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D To-252B 98v 120a Dispositivo DHS046N10 Specification.pdf
100A 60V N-Canale Modalità di miglioramento Potenza Mosfet DH066N06 TO-220C DH066N06 To-220c 60V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 To-220c 60V 145a Dispositivo DH045N06 SPECIFICA.PDF
18A 100V P-Canale Modalità di miglioramento POTENZA MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B To-251b 100V 18a Dispositivo DH100P18 B79 SPECIFICHE.PDF
18A 650 V Gate isolato Transistor bipolare DHG20T65D TO-220F DHG20T65D To-220f 650v 18a Dispositivo DHG20T65D Specifica (TO-220F) .pdf

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