未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet



Model:
Pakke:
V:
EN:
Valgte produktlinjer:

Mosfet

Billedmodelpakke v Et datablad til Føj detaljerede undersøgelser kurv
50A 120V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH150N12D TO-252B Dh150n12d TO-252B 120V 50a Enhed DH150N12 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 Dh105n07p DFN5*6-8 70v 56a Dh105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
10A 400V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400v 10a Enhed 740 Specifikation.pdf
N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180a Enhed DHS020N04D Specifikation.pdf
105A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+DATABLEET+V2.0 .pdf
105A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68v 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+datablad+v2.0 .pdf
-30A -60V P-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH300P06D TO-252B Dh300P06D TO-252B -60V -30a Enhed Dh300P06 Specifikation.pdf
320A 30V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH012N03D TO-252B Dh012n03d TO-252B 30V 320a Enhed DH012N03 Specifikation.pdf
320A 30V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH012N03 TO-220C Dh012n03 TO-220C 30V 320a Enhed DH012N03 Specifikation.pdf
8A 500V N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500v 8a
60A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68v 60a Enhed 50N06B34 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68v 60a Enhed 50N06B34 Specifikation.pdf
80A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH072N07E TO-263 Dh072n07e TO-263 68v 80a Enhed DH072N07 Specifikation.pdf
80A 68V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68v 80a Enhed DH072N07 Specifikation.pdf
12A 100V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH850N10D TO-252B Dh850N10D TO-252B 100v 12a Enhed DH850N10D Specifikation (1) .pdf
120A 98V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98v 120a Enhed DHS046N10 Specifikation.pdf
100A 60V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH066N06 TO-220C Dh066n06 TO-220C 60V 100a Dh066n06d_dataSheet_v2.0.pdf
N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B Dh045N06 TO-220C 60V 145a Enhed DH045N06 Specifikation.pdf
18A 100V P-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DH100P18B TO-251B Dh100p18b TO-251B 100v 18a Enhed DH100P18 B79 Specifikation.pdf
18A 650V Isoleret gate bipolar transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Enhed DHG20T65D Specifikation (TO-220F) .pdf

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com