未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet



Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Mosfet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
50A 120 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50a Laite DH150N12 Specification.pdf
60A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P Dfn5*6-8 70 V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
10A 400 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10a Laite 740 Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180a Laite DHS020N04D Specification.pdf
105A 68 V N-kanavan parannustila Power Mosfet DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+
105A 68 V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+
-30A -60 V P-kanavan parannustila Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30a Laite DH300P06 Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320a Laite DH012N03 Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320a Laite DH012N03 Specification.pdf
8A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8a
60A 68 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60a Laite 50n06b34 spesifikaatio.pdf
60A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60a Laite 50n06b34 spesifikaatio.pdf
80A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80a Laite DH072N07 Specification.pdf
80A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80a Laite DH072N07 Specification.pdf
12A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12a Laite DH850N10D -määritys (1) .pdf
120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120a Laite DHS046N10 Specification.pdf
100A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145a Laite DH045N06 Specification.pdf
18A 100V P-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18a Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
18A 650 V eristetty portti kaksisuuntainen transistori DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18a Laite DHG20T65D -määritys (TO-220F) .pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com