未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C -220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
4A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
23A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 -220C 85V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TULL DSU023N10N3 TOLL 100V 281A DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 -220C 60V 60A Laite DH60N06 Tekniset tiedot+.pdf
10A 700V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
17A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 -220C 650V 17A Laite DHSJ17N65 Specification.pdf
7A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 -220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Laite DH100N03 B13 Specification.pdf
18A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
15A 650V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 -220C 650V 15A
110A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 -220C 85V 110A Laite DHS055N85 Specification.pdf
12A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
240A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 -220C 100V 240A Laite DHS025N10 Specification.pdf
19A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Laite DH300N08 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
30A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 -220C 60V 30A Laite DHZ24B31 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
120A 80V N-kanavan lisätilateho MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 -220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com