未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
7A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 4A 1500 V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
80A 75V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D7509 TO-220C D7509 -220C 75V 80A Laite D7509 Specification.pdf
12 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Laite DH1K1N10 Specification.pdf
61A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 -220C 60V 61A Laite DH16N06 Specification.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
300A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS010N04U TOLL PAKETTI DHS010N04U TOLL 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 -220C 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
210A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 -220C 60V 180A Laite N6005B40 Specification.pdf
10A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
NPN epitaksiaalinen piitransistori 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Laitteen DH060N07D Specification.pdf
120A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R -220C 100V 120A Laitteen DH10H037R Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P DataSheet V3.0.pdf
8A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 -220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
90A 80V N-kanavan parannustila Virta MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Laite DHD80N08 Specification.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com