未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
8A 500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A
220A 20V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Laitteen DH009N02P Specification.pdf
105A 68V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U
35 A 120 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Laite DH300P06 Specification.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
10A 400V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Device 740 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Laitteen DH135N10P Specification.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
100A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 -220C 85V 100A Laite DH85N08 Specification.pdf
12A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Laitteen DH850N10D tekniset tiedot (1).pdf
49A 80V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Laite DH116N08 Specification.pdf
0,8 A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
P-kanavan lisätilateho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com