未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
80A 75V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80 A Specifikimi i pajisjes D7509.pdf
7A 700V N-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET me fuqi 12A 100V me kanal N e përmirësimit MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifikimi i pajisjes DH1K1N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 60 V Fuqia MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180 A  DHS025N06&DHS025N06E_Sheet_V2.0.pdf
61A 60V 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specifikimi i pajisjes DH16N06.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 210A 60 V Fuqia MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180 A Specifikimi i pajisjes N6005B40.pdf
300A 40V 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS010N04U PAKETA TOLL DHS010N04U TOLL 40 V 300A DHS010N04U_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A me fuqi MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A DHS008N04P_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
120A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifikimi i pajisjes DH10H037R.pdf
NPN epitaksial silic transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Specifikimi i pajisjes DH060N07D.pdf
10A 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A 40 V Fuqia MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Fleta e të dhënave Donghai DHS021N04P V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 4A 650 V Fuqia MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
9A 650V 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
8A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 98 V Fuqia MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS046N10.pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com