未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET



Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOSFET

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET D7509 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 75V D7509 A-220C 75V 80A Especificación del dispositivo D7509.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 12A 100V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Especificación del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET F7N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B A-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A-263 60V 180A Donghai_DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 A-220C 60V 61A Especificación del dispositivo DH16N06.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 A-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET de potencia N6005/FN6005/EN6005 del modo de mejora del canal N de 210A 60V N6005 A-220C 60V 180A Especificación del dispositivo N6005B40.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS010N04U de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 40 V DHS010N04U PEAJE 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Especificación del dispositivo DH060N07D.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET B4N65 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 650V B4N65 A-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 A-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET D9N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 9A 650V D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 A-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Hoja de datos V3.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C DHS046N10 A-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf

Vídeo del producto



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com