未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET



Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

MOSFET

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
80A 75V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Enhet D7509 Specifikation.pdf
12A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Enhet DH1K1N10 Specifikation.pdf
7A 700V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
180A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
61A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Enhet DH16N06 Specification.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Enhet DH8004 Specifikation (2).pdf
210A 60V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Enhet N6005B40 Specification.pdf
300A 40V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHS010N04U AVGIFTSPAKET DHS010N04U VÄGTULL 40V 300A DHS010N04U_Datablad_V1.0.pdf
120A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Enhet DH10H037R Specifikation.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Enhet DH060N07D Specifikation.pdf
10A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datablad_V1.0.pdf
100A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Datablad V3.0.pdf
4A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
8A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
120A 98V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Enhet DHS046N10 Specification.pdf

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com