未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » MOSFET



Model:
Balík:
V:
A:
Vybrané produktové rady:

Mosfet

obrazového modelu Balík v DataShet do podrobne popisuje dopyt koša
-30a -100V P-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD Až 252b -100V -30a Zariadenie DH100P30CB1Q Špecifikácia.pdf
N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 Dhe8004 Na 263 80V 180A Špecifikácia zariadenia DH8004 (2) .pdf
Režim vylepšenia n-kanála Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 Až 220 ° C 85V 120a Zariadenie DHS045N88 Špecifikácia-Rev.1.0.pdf
N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E Na 263 85V 120a Zariadenie DHS045N88 Špecifikácia-Rev.1.0.pdf
20A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b Až 247 500 V 20A Špecifikácia zariadenia 20N50 (1) .pdf
110A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS055N85E TO-263 Dhs055n85e Na 263 85V 110A Zariadenie DHS055N85 Špecifikácia.pdf
238a 60V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH026N06E TO-263 Dh026n06e Na 263 60 V 238a Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf
40A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 Až 252b 30 V 40A Dhd80n03_datashet_v3.0.pdf
-100V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D Až 252b -100V -35a DH100P30D_DATASEet_V1.0+.pdf
4A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 Až 252b 650V 4a 英文版 d4n65 技术规格书 rev1.0.pdf
90A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH045N04D TO-252B Dh045n04d Až 252b 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
12A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 12N65 až 220C 12n65 Až 220 ° C 650V 12A 英文版 12n65 技术规格书 .pdf
45A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D Až 252b 100 V 45a DHS160N100D_DATASEet_V2.0.pdf
140A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 Dfn5x6-8l 40V 140a Zariadenie DHP035N04 Špecifikácia.pdf
14A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 14N65 až 220c 14n65 Až 220 ° C 650V 14a 英文版 14n65 技术规格书 ay3 (1) .pdf
18A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d Do-3pn 500 V 18a 英文版 18n50d 技术规格书 .pdf
120A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C Dtg045n04na Až 220 ° C 40V 120a Zariadenie+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Špecifikácia+rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 Dte043n04na Na 263 40V 120a Zariadenie+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Špecifikácia+rev.1.0.pdf
68 V/7,2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B Dtd080n07n Až 252b 68 V 80A Dtd080n07n_datashet_v1.0.pdf
100 V/8MΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A Až 252b 100 V 68a DSD090N10L3A_DATASEet_V1.0.pdf

Video produkt



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com