未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
23A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET MÝTA DSU023N10N3 TOLL 100 V 281A DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Zariadenie DH60N06 Špecifikácia+.pdf
7A 650V N-channel režim vylepšenia výkonu MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
10A 700V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
17A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Špecifikácia zariadenia DHSJ17N65.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Zariadenie DH100N03 B13 Špecifikácia.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf
15A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
110A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Špecifikácia zariadenia DHS055N85.pdf
12A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
240A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Špecifikácia zariadenia DHS025N10.pdf
19A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Zariadenie DH300N08 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
30A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Zariadenie DHZ24B31 Špecifikácia.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
112A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com