brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 12a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F12N60 TO-220F

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

12A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F12N60 TO-220F

12A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

12A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906). 


2 funkce

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost

● nízký odpor (Rdson <0,75Ω) 

● Nízká brána (Typ: 40NC) 

● Kapacity s nízkým přenosem pro zpětný přenos (typ: 10pf) 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.


VDSS  Rds (on) (typ) Id 
600V 0,58 Ω 12a



Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty