brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F12N60 TO-220F

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

12A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F12N60 TO-220F

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

Výkonový MOSFET 12A 600V N-channel Mode Enhancement Mode


1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. TO-220F poskytuje izolačné napätie dimenzované na 2000 V RMS zo všetkých troch svoriek k externému chladiču. Séria TO-220F je v súlade s normami UL (ref. súboru: E252906). 


2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤0,75Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 40 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 10pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS  RDS (zapnuté) (TYP) ID 
600 V 0,58 Ω 12A



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty