未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET



Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

MOSFET

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specifiche del dispositivo DHSJ13N65.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 12 A 700 V DJF360N70
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 100 V DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specifiche del dispositivo DH100P40.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 80 V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Dispositivo DH029N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 68 V DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifiche del dispositivo DH3205A.pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 42 A 600 V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specifiche del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 145 A 30 V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Dispositivo DH028N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS042N15E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 150 A 150 V DHS042N15E TO-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS110N15D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 85 A 150 V DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specifiche del dispositivo DHS110N15D.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 120 A 60 V DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Dispositivo+DH065N06+Specifiche+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf

Video del prodotto



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com