未命名(1)(8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MOSFET



Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

MOSFET

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
20 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Gerät DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specification.doc.pdf
P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Gerät DH500P06R Spezifikation Rev.1.0.pdf
20N60/F20N60/20N60D
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
120 A 98 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Gerätespezifikation DHS046N10.pdf
155 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Gerätespezifikation DH035N04.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
110 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Gerät DTE025N04NA&DTG025N04NA Spezifikation Rev.1.0.pdf
10 A 650 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65术规格书AY3(1).pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
18A 650V Bipolartransistor mit isoliertem Gate DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Gerätespezifikation DHG20T65D (TO-220F).pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Spezifikation des Geräts 20N50(1).pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf
18A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
-30A -100V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Gerätespezifikation DH100P30CB1Q.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Einreichen
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com