未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
DSG014N04N TO-220CPobal DSG014N04N TO-220C 40 V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
Balenie DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
270A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12U MÝTNY BALÍK DHS044N12U TOLL 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A BALENIE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Špecifikácia zariadenia DHP50P04(DFN56)(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+DataSheet+V2.0.pdf
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Špecifikácia zariadenia DHS052N10P.pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B12N10/D12N10

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com