未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
81A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Zariadenie DH060N08 Špecifikácia.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B12N10/D12N10
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Špecifikácia zariadenia DH100P28.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Zariadenie DH105N07 Špecifikácia.pdf
200A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D1404/FD1404/ED1404
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
40A 1200V N-kanálový SiC napájací MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40A Špecifikácia zariadenia DCC075M120G2C.pdf
60A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Špecifikácia zariadenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
250A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Zariadenie DH019N04 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
238A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf
-6A -100V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100 V -6A DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Špecifikácia zariadenia DHS051N10P(2).pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com