未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A DSD065N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
12A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia B12N10/D12N10
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P28.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH105N07.pdf
200A 40V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D1404/FD1404/ED1404
120A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N i DTJ018N04N Karta katalogowa Rev.1.0 .pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
40A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC075M120G2C.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80A DTD080N07N_Arkusz danych_V1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N-kanałowym 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
250A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Specyfikacja urządzenia DH019N04.pdf
-6A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100 V -6A DH100P18V_Arkusz danych_V1.0.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specyfikacja urządzenia DHS051N10P(2).pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com