未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

MOSFET

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
81A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80V 81A Specifikace zařízení DH060N08.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
120A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N85-Rev.2.0.pdf
200A 40V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET D1404/FD1404/ED1404
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Specifikace zařízení DH100P28.pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Specifikace zařízení DH105N07.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
40A 1200V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40A Specifikace zařízení DCC075M120G2C.pdf
60A 60V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Specifikace zařízení DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
250A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Specifikace zařízení DH019N04.pdf
N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Specifikace zařízení DHS051N10P(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf

Video o produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com