未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
MOSFET i fuqisë 12A 100V i modalitetit të përmirësimit të kanalit N B12N10/D12N10
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A DSD065N10L3A_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
200A 40V 40V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N D1404/FD1404/ED1404
120A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N85-Rev.2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P28.pdf
60A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH105N07.pdf
180A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180 A Fleta e të dhënave DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Rev.1.0 .pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
40A 1200V SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40 A Specifikimi i pajisjes DCC075M120G2C.pdf
Modaliteti i përmirësimit 60A me kanal N me fuqi MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60 A Specifikimi i pajisjes DHD015N06(低开启电压50N06）.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Device+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 40 V Fuqia MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Device+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80 A DTD080N07N_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
250A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250 A Specifikimi i pajisjes DH019N04.pdf
MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanaleve N 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specifikimi i pajisjes DHS051N10P(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A DSD090N10L3A_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
238A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Specifikimi i pajisjes DH026N06.pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com