Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор



Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

МОП-транзистор

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
81A 80V N-канальный режим улучшения MOSFET DH060N08 TO-220C ДХ060Н08 ТО-220С 80В 81А Спецификация устройства DH060N08.pdf
100 В/5,5 мОм/100AN-МОП-транзистор DSD065N10L3A TO-252 ДСД065Н10Л3А ТО-252Б 100В 100А Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DH105N07D TO-252B ДХ105Н07Д ТО-252Б 68В 60А Спецификация устройства DH105N07.pdf
200 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор Д1404/ФД1404/ЭД1404
120 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS045N85 TO-220C ДХС045Н85 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N85-Rev.2.0.pdf
Режим расширения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P28D TO-252B ДХ100П28Д ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P28.pdf
Ф6Н90 ТО-220Ф Ф6Н90 ТО-220Ф 900В 6А 英文版F6N90技术规格书.pdf
180A 40V N-канальный режим расширения MOSFET DTG018N04N To-220C ДТГ018N04N ТО-220С 40В 180А DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Технический паспорт, версия 1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SiC, 40 А, 1200 В DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C ТО-247 1200В 40А Спецификация устройства DCC075M120G2C.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 100 А, 85 В ДХ050Н85 / ДХ050Н85Е
60А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD015N06 TO-252B ДХД015Н06 ТО-252Б 60В 60А Спецификация устройства DHD015N06(低开启电压50N06).pdf
40 В/4,5 мОм/40 А N-МОП-транзистор DSR070N04LA DSR070N04LA
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTG045N04NA TO-220C ДТГ045Н04НА ТО-220С 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTE043N04NA TO-263 ДТЕ043N04NA ТО-263 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный режим расширения Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
250 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH019N04 TO-220C ДХ019N04 ТО-220С 40В 250А Спецификация устройства DH019N04.pdf
DHS051N10P DFN5X6 ДХС051Н10П DFN5X6 100В 108А Спецификация устройства DHS051N10P(2).pdf
100 В/8 мОм/68 А N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B ДСД090Н10Л3А ТО-252Б 100В 68А Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
-6A -100V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH100P18V SOP-8 ДХ100П18В СОП-8 -100В -6А Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте



  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com