未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
12A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B12N10/D12N10
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Laite DH105N07 Specification.pdf
200A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET D1404/FD1404/ED1404
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Laite DH100P28 Specification.pdf
120A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 -220C 85V 120A Laite DHS045N85 Specification-Rev.2.0.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG018N04N -220C DTG018N04N -220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
40A 1200V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40A Laite DCC075M120G2C Specification.pdf
60A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Laitteen DHD015N06 tekniset tiedot (低开启电压50N06）.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA -220C 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
N-kanavainen tehostustilan MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
250A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 -220C 40V 250A Laite DH019N04 Specification.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Laitteen DHS051N10P Specification(2).pdf
238A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 -220C 60V 238A Laite DH026N06 Specification.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com