P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V

1 Kuvaus

Nämä P-kanavan parannustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut 

● Hälytin

VDSS	RDS(päällä) (TYP)	ID
-100V	47mΩ	-30A