未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » -30v ~ -100v P mos » P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

P-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

P-kanali lisaseadme režiim MOSFET 30A 100 V
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

P-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V


1 kirjeldus

Need p-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● Inverteri haldussüsteem 

● Elektritööriistad 

● Relertor


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus 
-100 V 47mΩ -30a



Eelmine: 
Järgmine: 
P-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com