brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET »» -30V ~ -100V P MOS » P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V
Dostupnost:
Množství:

Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V


1 Popis

Tyto režim vylepšení P-kanálu Power MOSFETS používal technologický design Advanced Trench, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém správy střídače 

● Power Tools 

● Porucha


VDSS RDS (on) (typ) Id 
-100V 47mΩ -30a



Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty