geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS » P-kanal geliştirme modu Güç MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

P-Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 30A 100V DH100P28D TO-252B

P-kanal geliştirme modu güç mosfet 30A 100V
Kullanılabilirlik:
Miktar:

P-kanal geliştirme modu güç mosfet 30A 100V


1 Açıklama

Bu p-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Hızlı anahtarlama 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● Güç değiştirme uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Uyarıcı


VDSS RDS (ON) (tip) İD 
-100V 47mΩ -30A



Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun