未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
81A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 ДО-220С 80В 81А Специфікація пристрою DH060N08.pdf
100 В/5,5 мОм/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A ТО-252Б 100В 100А DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D ТО-252Б 68В 60А Специфікація пристрою DH105N07.pdf
120A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 ДО-220С 85В 120А Пристрій DHS045N85 Specification-Rev.2.0.pdf
200A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D1404/FD1404/ED1404
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D ТО-252Б -100В -30А Специфікація пристрою DH100P28.pdf
Ф6Н90 ТО-220Ф F6N90 ТО-220Ф 900В 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
180A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTG018N04N до-220C DTG018N04N ДО-220С 40В 180А DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Технічний опис Rev.1.0 .pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
40A 1200V N-канальний SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C ТО-247 1200В 40А Специфікація пристрою DCC075M120G2C.pdf
60A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 ТО-252Б 60В 60А Специфікація пристрою DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA ДО-220С 40В 120А Пристрій+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
40 В/4,5 мОм/40 А N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA ТО-263 40В 120А Пристрій+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
250A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 ДО-220С 40В 250А Специфікація пристрою DH019N04.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А DTD080N07N_Таблиця даних_V1.0.pdf
-6A -100V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V СОП-8 -100В -6А DH100P18V_Таблиця даних_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100В 108A Специфікація пристрою DHS051N10P(2).pdf
100В/8мОм/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A ТО-252Б 100В 68A DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com