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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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400V-1500V NMOS

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MOSFET di potenza DHS110N15D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 85 A 150 V DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specifiche del dispositivo DHS110N15D.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 100 V DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specifiche del dispositivo DH100P40.pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop G50T65D TO-3PN da 50 A 650 V G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS042N15E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 150 A 150 V DHS042N15E TO-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
 D7N60TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD015N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 60 V DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specifiche del dispositivo DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 3 A 900 V DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Specifiche del dispositivo DH3N90.pdf
MOSFET di potenza F5N65C TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4,5 A 650 V F5N65C TO-220F 650 V 4,5 A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 7,6 A 650 V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6 A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifiche del dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione super canale N da 10,6 A 700 V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJD420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza F8N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F20N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 600 V F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza F16N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 16 A 600 V F16N60

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